机译:通过射频反应溅射在各种氮浓度下沉积的AlN薄膜
CPPL lab, School of Materials Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;
A1. field emission scanning electron microscopy; Al. fourier transform infrared; Al. raman; Al. RF sputtering; Al. X-ray diffraction; B1. A1N film;
机译:通过射频反应溅射表征不同氮浓度下沉积的AlN薄膜
机译:沉积温度对射频反应磁控溅射沉积在蓝宝石衬底上的c轴取向AlN薄膜的微观结构和表面形态的影响
机译:使用反应性射频磁控溅射沉积的A1N薄膜的结构和电性能,用于太阳能聚光器
机译:反应性RF-磁控溅射沉积铝氮化铝膜结构和光学性质的氮浓度
机译:通过反应磁控溅射沉积的亚稳态钛(0.5)铝(0.5)铝合金薄膜的物理性能。
机译:氧浓度对超薄射频磁控溅射沉积铟锡氧化物薄膜作为光伏器件上电极的性能的影响
机译:使用反应溅射沉积沉积不锈钢 - 氮薄膜的X射线衍射研究