KOH处理对ZnO纳米棒阵列结构及光电性能的影响

摘要

采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法，在导电玻璃（FTO）上生长ZnO纳米棒阵列（ZnO NRs）。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、电流-电压（I-V）曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试，结果表明：ZnO NRs呈纤铅矿型；ZnO NRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关，经0.1 mol/L KOH刻蚀1 h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnO NRs；KOH刻蚀后的ZnO NRs与未刻蚀前高密度的ZnO NRs相比，其光学性能得到提高。0.1 mol/L KOH刻蚀1 h的ZnO NRs作为太阳能电池的光阳极，其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnO NRs分别提高了0.71%、2.79 mA和0.03 V。