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廖芳; 莫春兰; 王小兰; 郑畅达; 全知觉; 张建立; 江风益;
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心 江西 南昌 330096;
绿光LED; 量子垒; 生长速率; 外量子效率;
机译:使用AlGaN / InGaN超晶格最后一个量子垒提高基于InGaN的蓝色LED的性能
机译:高注入量下InGaN中间层对基于InGaN / GaN量子阱的LED性能的影响
机译:超晶格应力消除层中InGaN与GaN的厚度比对在Si衬底上生长的InGaN基绿色LED的光电性能的影响
机译:使用Sentaurus研究蓝色InGaN LED光学性能的量子垒厚度
机译:用于氮化镓基LED的白光产生和提取的量子点和光子晶体。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:渐变铟组合物P型Ingan层的甘油基绿光二极管量子效率提高
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:具有多个INGAN / GAN量子阱的LED异质结构
机译:InGaN基LED表皮晶片及其制造方法
机译:用于近紫外和蓝Ingan基白光LED的红色荧光粉及其制备方法
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