硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

摘要

报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积,并于15wt% H2SO4,温度25℃和40V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备(膜厚约400nm).研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱(FTIR)、光致荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE).发现其荧光光谱在280～500nm范围内由三个主发射带组成,其峰值分别位于312nm,367nm和449nm.所有这三个PL带,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关.312nm和367nm的发射带分别来源于与氧空位相关的F+(1B→1A)和F(3P→1S)中心,而449nm带的来源仍须进一步的工作来证明.