公开/公告号CN102644101A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN201210130374.6
申请日2012-04-27
分类号C25D11/04;C23C14/16;C23C14/24;B82Y40/00;
代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;
代理人关玲
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2023-12-18 07:51:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-18
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D11/04 申请公布日:20120822 申请日:20120427
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-10-03
实质审查的生效 IPC(主分类):C25D11/04 申请日:20120427
实质审查的生效
2012-08-22
公开
公开
机译: 一种在硅衬底上的绝缘子区域上制造硅的方法以及在硅衬底上的绝缘子上制造硅的方法
机译: 通过化学气相沉积法在硅衬底上制备镍薄膜的方法以及在硅衬底上制备硅化镍薄膜的方法
机译: 一种制备硅上硅衬底的方法