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一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法

摘要

一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法,步骤如下:(1)清洗硅衬底;(2)在清洗后的硅衬底表面上沉积一层厚度为500-1000纳米的铝层;(3)对沉积在硅衬底上的铝层进行阳极氧化,其中,将阳极氧化槽置于冰水混和物中,通过搅拌控制阳极氧化过程中的温度在0-5℃,阳极氧化溶液为磷酸的乙二醇溶液,磷酸在乙二醇中的体积百分比为18%-24%,阳极氧化电压为210-250V,阳极氧化时间为1-5分钟;(4)将制得的阳极氧化铝模板用去离子水清洗干净,在室温下放入5wt%的磷酸水溶液中扩孔20-50分钟,并同时去除孔底部的氧化物阻挡层。由此在硅衬底上获得的大孔径薄壁阳极氧化铝模板,孔径大于100纳米,孔壁厚度小于孔半径。

著录项

  • 公开/公告号CN102644101A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201210130374.6

  • 发明设计人 李兆辰;赵雷;王文静;

    申请日2012-04-27

  • 分类号C25D11/04;C23C14/16;C23C14/24;B82Y40/00;

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2023-12-18 07:51:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D11/04 申请公布日:20120822 申请日:20120427

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-10-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D11/04 申请日:20120427

    实质审查的生效

  • 2012-08-22

    公开

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