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在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器

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摘要

在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1 000小时.

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来源
《发光学报》 |2001年第z1期|83-86|共4页
作者
Ikeda; M; Uchida; S;
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作者单位

Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.3-53-2 Shiratori, Shiroishi-shi,;

Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.3-53-2 Shiratori, Shiroishi-shi,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
AlGaInN; 半导体激光器; 侧向外延氮化镓;

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