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徐群和; 康俊勇;
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建,厦门,361005;
ZnO; 本征缺陷; Li掺杂; 第一性原理计算;
机译:Li〜(3+)离子辐照对Mn掺杂ZnO磁性的影响:与缺陷和结构性质的关系
机译:离子注入ZnO中缺陷的发光和结构性质
机译:ZnO中Er〜(3+)引起的点缺陷以及Li〜+ / Na〜+ / K〜+对ZnO:Er中空位缺陷的影响
机译:Mn,共掺杂氧化物结构性质中缺陷和空位研究:ZnO
机译:复合氧化物铁电薄膜中的缺陷结构性质关系
机译:富含富含型和Zn的生长条件下ALD沉积的薄ZnO膜的结构性质及其与电参数的关系
机译:纳米晶体形状控制:通过化学蒸汽合成制备的形状控制ZnO纳米粒子的合成及结构性质相关及其在染料敏化太阳能电池中的应用(ADV。Funct。Mater。6/2009)
机译:Li5alO4,Li5GaO4和Li6ZnO4中的锂离子传导。
机译:理解ZNO和LINK的固体制备过程,以及相关用途,以用于气体或液体的消解以及卤代气体或液体货物的处置
机译:减少基于Zno的复合半导体基体缺陷的方法,能够防止基体表面上产生的缺陷
机译:制备克隆缺陷表皮细胞系的方法,紧密结函数控制的筛选方法,包括Clindin缺陷的上皮细胞系和Clinden缺陷的上皮细胞系筛选试剂盒,其含有Clonine缺陷的上皮细胞系
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