Ce3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响

杜玙璠; 衣立新; 王申伟; 邬洋

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Ce3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响

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通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格.将样品分别注入剂量为2.0×1014 cm-2和2.0×1015 cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品.通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响.在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显.

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来源
《发光学报》 |2009年第3期|417-420|共4页
作者
杜玙璠; 衣立新; 王申伟; 邬洋;
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作者单位

北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
超晶格; 硅纳米晶; Ce3+注入; 光致发光;

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