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NC-SI/SIO2 COATINGS AND DIRECT LITHOGRAPHIC PATTERNING THEREOF

机译：NC-SI / SIO2涂层及其直接光刻技术

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摘要

Methods for the direcet lithographic patterning of nanocrystalline-Si/SiO2 films under reductive thermal curing conditions are described. Also described are methods for coating non-planar substrates with nanocrystalline-Si/SiO2 films and the erbium doping of nanocrystalline-Si/SiO2 films.

机译：描述了在还原热固化条件下对纳米晶Si / SiO2薄膜进行直接光刻构图的方法。还描述了用纳米晶Si / SiO 2膜涂覆非平面衬底的方法以及纳米晶Si / SiO 2膜的掺杂。

著录项

公开/公告号WO2008144923A1

专利类型
公开/公告日2008-12-04

原文格式PDF
申请/专利权人 THE GOVERNORS OF THE UNIVERSITY OF ALBERTA;VEINOT JONATHAN GORDON CONN;HESSEL COLIN MICHAEL;MELDRUM AL;
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申请/专利号WO2008CA01037
发明设计人 VEINOT JONATHAN GORDON CONN;MELDRUM AL;HESSEL COLIN MICHAEL;
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申请日2008-06-02
分类号H01L21/027;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/36;H01L29/12;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 19:21:14

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