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徐天宁; 卢忠; 隋成华; 吴惠桢;
浙江工业大学之江学院理学系,浙江杭州 310024;
浙江大学物理系硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027;
ZnO∶ Al薄膜; 局域表面等离子体; 荧光增强;
机译:Al浓度和退火温度对Al共掺杂ZnO薄膜结构,光学和电学性质的影响
机译:Al浓度对Al掺杂ZnO薄膜结构和光学性能的影响
机译:Al掺杂对溶胶 - 凝胶法制备Mg-Al共掺杂ZnO薄膜结构和光学性质的影响
机译:对Al掺杂ZnO薄膜结构和磁性的退火效应
机译:Al和Ga掺杂的ZnO的结构和性能。
机译:Al2O3的含量对纳米复合Nb-B-Al-O薄膜结构和性能的影响
机译:氮气退火效应对Ald-ZnO薄膜结构,光学和电性能的比较
机译:加工变量对ZnO薄膜结构和性能的影响
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
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