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李猛; 孙阳; 纪鑫; 高菲; 秦飞飞; 朱刚毅;
南京邮电大学通信与信息工程学院;
磷化铟; 发光二极管; 圆盘微腔; 光谱调控;
机译:InAs / InP量子点波导阵列发光二极管的光谱宽度大于500 nm的平顶发射
机译:具有非常宽的发射光谱的渐变拉伸应变体InGaAs / InP超发光二极管
机译:InGaAsP / InP超发光二极管的发射光谱宽度加宽
机译:通过热退火和发光二极管应用的INP / INASP异质结构纳米线的尺寸控制
机译:微波辅助离子液体刻蚀调节InP纳米晶体的尺寸和表面
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:Inp的离子束刻蚀及其在高辐射InGaasp / Inp发光二极管制备中的应用
机译:高功率GaInasp / Inp表面发光二极管激光器的单片二维阵列。
机译:用于区域明亮照明的灯,具有在圆盘上或圆盘内布置有多个发光二极管的圆盘,圆盘具有槽口,其中可切换的灯丝照明单元与发光二极管断开连接
机译:- 采用氨基膦型PRED体和核心尺寸分选方法基于INP基量子点的INP制造方法
机译:用作例如包装的防伪保护,具有改变光的相/偏振/光谱形成的颗粒,其中颗粒呈圆盘状几何形状并具有预定的层压强度和尺寸
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