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周华;
多聚物; 无机半导体; 欧姆接触; 异质结; 半导体结; 肖特基结; 功函数; 电化学沉积; 反向偏压; 击穿电压;
机译:具有降低的工作电压的肖特基势垒冲击电离金属氧化物半导体器件
机译:肖特基势垒金属-氧化物-半导体器件的源侧注入幸运电子模型
机译:肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管作为谐振隧穿器件
机译:过渡金属双硫族化物晶体管中铜掺杂改善了肖特基至欧姆的金属-半导体接触
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:肖特基势垒金属氧化物半导体晶体管的可扩展性
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:通过在偏置电压下测量光电子电势来评估金属氧化物薄膜半导体器件(即MOS器件和肖特基器件)的方法
机译:用于制造半导体器件的沉积设备,例如肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管,包括第一和第二腔室,泵浦部分,气体注入部分和连接部分
机译:具有半导体和金属的肖特基结的肖特基结器件
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