SILAR法制备化学计量CuInS2薄膜

摘要

在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜.XRD结果表明,当cCu 2+/cIn 3+在1～1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜.SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集.通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当ccu 2+/cIn 3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成.此时薄膜的吸收系数大于＞10 4cm-1,禁带宽度Eg为1.45 eV.