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一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法

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摘要

本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1-0.3 g，放在W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-21

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20150916 申请日:20150617

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20150617

实质审查的生效
2015-09-16

公开

公开

1. 一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法 [P] . 中国专利： CN105177499B . 2018.02.06
2. 一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法 [P] . 中国专利： CN105177499A . 2015-12-23
3. Single-Source Precursors for 13 Group-Nitride Quantum Dot, Process for Preparing Them and Process for Preparing 13 Group-Nitride Quantum Dot Employing Them [P] . 韩国专利： KR100454650B1 . 2004-11-05

机译：用于13组氮化物量子点的单源前驱物，制备它们的方法和制备使用它们的13组氮化物量子点的过程
4. 13 13 Single-Source Precursors for 13 Group-Nitride Quantum Dot Process for Preparing Them and Process for Preparing 13 Group-Nitride Quantum Dot Employing Them [P] . 韩国专利： KR20030012357A . 2003-02-12

机译： 13 13种氮化物量子点的13种单源前驱物的制备方法和13种氮化物量子点的制备方法
5. QUANTUM DOT PRECURSOR SYNTHESIS DEVICE AND QUANTUM DOT PRECURSOR SYNTHESIS METHOD [P] . 世界知识产权组织专利： WO2018192541A1 . 2018-10-25

机译：量子点前驱体合成装置及量子点前驱体合成方法