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RF集成电路工艺探讨

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摘要

射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间.本文介绍了当今RF设计的主流工艺,并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究,评述了其中存在的问题.最后提出了该领域中未来的发展前景.

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来源
《电子器件》|2002年第2期|187-192|共6页
作者
史又华; 陆生礼; 时龙兴;
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作者单位

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

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正文语种 chi
中图分类理论;
关键词
RF 设计; 半导体工艺; GaAs; Si双极型; CMOS;

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