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基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

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摘要

基于0.18 μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0.65×0.79 mm2,1.8V电源供电,总功耗155 mW,中心频率6 GHz,调谐范围1 GHz.可应用于IEEE802.11a WLAN系统.

著录项

来源
《电子器件》 |2003年第4期|438-440437|共4页
作者
吴春红; 朱恩; 王雪艳; 郁炜嘉; 程树东; 王志功;
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作者单位

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘的试验与检查;
关键词
射频集成电路; 压控振荡器; CMOS工艺;

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