碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

摘要

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜.CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480 ℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化.银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2.4 V/μm,在5 V/μm的电场下,场发射电流密度为27.8 μA/cm2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善.