首页> 中文期刊> 《电子器件》 >钼硅化物改善刀口型硅尖场发射性能研究

钼硅化物改善刀口型硅尖场发射性能研究

         

摘要

采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法,成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列,并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和刀口型硅尖锥阵列的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,在刀口型硅尖锥阵列上制备钼硅化物薄膜,能够提高场发射电流密度和发射稳定性.该结论对进一步研究金属硅化物在改善场发射性能方面有着重要的意义.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号