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Manufacturing method of silicon tip field emitter coated with diamond carbon thin film

机译:金刚石碳薄膜涂覆的硅尖场发射极的制造方法

摘要

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to tripolar silicon tip field emitters used in field emission display devices, and more particularly by uniformly coating a diamond-like carbon thin film on the silicon tip surface of a tripolar silicon tip field emitter without breaking the tip. The present invention relates to a method for fabricating a silicon tip field emitter with improved current-voltage characteristics, emission current density and lifetime.
机译:三极硅尖端场发射器技术领域本发明涉及一种用于场发射显示装置中的三极硅尖端场致发射器,更具体地讲,是通过在三极硅尖端的硅尖端表面上均匀地涂覆类金刚石碳薄膜来实现的。场发射器而不会折断尖端。本发明涉及一种具有改善的电流-电压特性,发射电流密度和寿命的硅尖端场发射器的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号KR19980037809A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 이우복;

    申请/专利号KR19960056615

  • 发明设计人 김한;최영환;최정옥;정효수;

    申请日1996-11-22

  • 分类号H01L27/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:48:16

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