广东省重点领域研发计划“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”启动会议召开

摘要

＜正＞7月24日,广东省重点领域研发计划"硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用"启动会议在国星光电召开。该项目为2018～2019年度广东省重点领域研发计划"第三代半导体材料与器件"重大专项资助项目,由国星光电牵头申报,佛山市国星半导体技术有限公司、华南理工大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、东莞科视自动化科技有限公司等单位联合参与。广东省生产力促进中心及禅城区经科局的领导及行业专家出席了启动会议。