纳米级掺锑SnO2导电粉体的水热合成及性能研究

摘要

高纯二氧化锡是一禁带宽度达3．8eV的绝缘体，当产生氧空位或掺杂氟、铟、锑等元素后形成N型半导体，具有导电性能。常用于这些领域的N型半导体有掺铟氧化锡（ITO）、掺锑氧化锡（ATO）、掺铝或掺镓氧化锌（AZO、GZO）。由于ATO的机械性能和热稳定性比ITO高，作为抗静电材料广泛应用于涂料、塑料、化纤、高分子膜等领域，显示出比其它抗静电材料如石墨、表面活性剂、金属粉等具有较大的优越性。