首页> 中文期刊>电子科学技术应用 >Enhancing Photoresponse by Synergy of Electric Double Layer Gate and Illumination in Single CuTCNQ NW Field Effect Transistors

Enhancing Photoresponse by Synergy of Electric Double Layer Gate and Illumination in Single CuTCNQ NW Field Effect Transistors

     

著录项

  • 来源
    《电子科学技术应用》|2018年第1期|P.8-13|共6页
  • 作者

    Rabaya Basori12;

  • 作者单位

    [1]School of Nano Science & Technology Indian Institute of Technology Kharagpur Kharagpur 721302 India;

    [2]Theme Unit of Excellence in Nano Device Technology and Department of Condensed Matter Physics and Materials Science S.N. Bose National Centre for Basic Sciences Salt Lake Kolkata-700098 India;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 工业技术;
  • 关键词

    Cu: TCNQ nanowire; EDL FET; photoresponse;

  • 入库时间 2023-07-26 02:50:51

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