为实现高压开关,功率MOSFET应如何串联连接

摘要

因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系,即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所以在总芯片面积相等的情况下,如把几个低压MOSFET串联连接,比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。图1表示串联连接个数和导通电阻降低率之间的关系。从此图中可以看出,用串联连接比提高每个功率MOSFET的耐压更有优越性。但是。