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机译:Cymer适用于32nm及以后节点的曝光光源技术于2008年底交付了第一代100W输出光源原型,这是EUV光刻的关键
机译:Cymer,EUV曝光光源技术发展趋势开始实现高吞吐量的高功率输出光源出货,EUV技术建立的路线图
机译:EUV光刻:Cymer的EUV来源更接近生产
机译:用于HVM EUV光刻的激光生产的基于等离子体的EUV光源技术的开发
机译:EUV光刻专用的锡掺杂微滴激光等离子体光源的辐射研究。
机译:超越EUV光刻技术:有效光刻胶性能的比较研究
机译:用于光刻的激光产生的激光产生的等离子体EUV光源的工业化
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。
机译:用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法
机译:用于EUV光刻的面膜空白的制造方法,用于EUV光刻的具有多层反射膜的基板的制造方法,用于EUV光刻的面膜的制造方法以及用于EUV光刻的转移膜的制造方法
机译:EUV光源和用于EUV光刻的装置
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