第三代半导体带来的机遇与挑战

摘要

随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向.第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角.作者从第三代半导体材料性能应用、行业领先者及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度,浅析第三代半导体功率器件市场.