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半导体所半导体超晶格国家重点实验室; GaAs基; 长波长激光器; 近红外波段 ;
机译:GaAs基长波长垂直腔面发射激光器的温度相关特性和老化性能,发射波长为1.26μm
机译:自发发射率对长波长(1.3#mu#m)GaAs基量子点激光器激光特性的影响
机译:自发发射率对长波长(1 .3μm)GaAs基量子点激光器的激光特性的影响
机译:用于长波长激光器的GaAsSb基合金
机译:长波长垂直腔激光器的磷化铟基合金的分子束外延。
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:长波长INGaas / InGaasp量子阱激光器在[约] 2.0微米
机译:结合隧道结结构的GaAs基长波长激光器
机译:GaAs基激光器的方法和GaAs基激光器
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