1 nm Al插入层调节NiGe/n-Ge肖特基势垒

丁华俊; 薛忠营; 魏星; 张波

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1 nm Al插入层调节NiGe/n-Ge肖特基势垒

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通过引入1 nm铝作为插入层,研究了铝在调制镍与n型锗反应时对镍化锗与n型锗接触的肖特基势垒高度的影响.采用正向Ⅰ-Ⅴ法、Cheung法和Norde法分别提取了镍化锗与n型锗接触的肖特基二极管的串联电阻、势垒高度和理想因子.研究表明,在镍和锗衬底之间引入1 nm铝插入层,能够有效降低势垒高度,且其能够在350℃—450℃保持稳定.

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来源
《物理学报》 |2022年第20期|251-257|共7页
作者
丁华俊; 薛忠营; 魏星; 张波;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
铝; 肖特基势垒; 锗; 镍;

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