CuPc/MoS_(2)范德瓦耳斯异质结荧光特性

摘要

在众多二维材料中,过渡金属硫族化合物由于其具有独特的光电特性深受广大研究者喜爱.近年来,由二维过渡金属硫族化合物材料与有机半导体结合构建的范德瓦耳斯异质结受到极大的关注.这种异质结可以利用两者的优势对光电特性等性能进行调控,为许多基础物理和功能器件的构建提供了研究思路.本文构建了酞菁铜/二硫化钼(CuPc/MoS_(2))范德瓦耳斯异质结,并对其荧光特性进行了表征和分析.与单层MoS_(2)相比较发现,引入有机半导体CuPc后,异质结当中发生了明显的荧光淬灭现象.通过荧光分析,该现象可以用引入CuPc后异质结中负三激子与中性激子之比增加来解释.此外,通过第一性原理计算分析发现,引入CuPc会在MoS_(2)的禁带中引入中间带隙态,使得CuPc与MoS_(2)之间产生非辐射复合,这同样会导致荧光淬灭的发生.CuPc/MoS_(2)异质结的荧光淬灭现象可以为同类型范德瓦耳斯异质结的光电特性调控研究提供参考和思路.