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马爽; 乌仁图雅; 特古斯; 武晓霞; 管鹏飞; 那日苏;
内蒙古师范大学物理与电子信息学院;
内蒙古科技大学理学院;
北京计算科学研究中心;
第一性原理计算; FeMnP1-xTx(T; =; Si; Ga; Ge)化合物; 机械性能;
机译:四元Heusler合金ZrTiCrZ(Z = Al,Ga,In,Si,Ge,Sn)的结构,电子,磁性和机械性能:第一性原理研究
机译:过渡金属掺杂的IV族半导体的第一性原理研究:R_xY_(1-x)(R = Cr,Mn,Fe; Y = Si,Ge)
机译:Ge 1-x inf> Sn x inf> -Si核-壳纳米线晶体管的第一性原理研究
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:电子磁半金属和机械性能的新的等原子四元Heusler化合物YRhTiGe:第一性原理研究。
机译:Sc2VZ(Z = C,Si,Ge,Sn,Pb)和Co2VZ(Z = Ga,Ge,As,Se)的半金属铁磁性Heusler化合物:第一性原理研究
机译:si(x)Ge(1-x)/ si和si(x)Ge(1-x)/ Ge超晶格的温度和成分相关结构
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:包含特定成分的CMP(化学机械抛光)成分的化学锗元素制造工艺,该工艺包括元素锗和/或Si 1-x sub> Ge x sub>材料的化学机械抛光有机化合物
机译:存在包含特定CMP成分的元素锗和/或Si 1-X Sub> Ge X sub>材料的化学机械抛光的半导体器件的制造过程有机化合物
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