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机译:过渡金属掺杂的IV族半导体的第一性原理研究:R_xY_(1-x)(R = Cr,Mn,Fe; Y = Si,Ge)
Group of Computational Condensed Matter Physics, National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, People's Republic of China;
magnetic semiconductors; elemental semiconductors;
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机译:过渡金属掺杂基团-IV的第一性原理研究 半导体:R $ {_ x} $ Y $ _ {1-x} $(R = Cr,mn,Fe; Y = si,Ge)
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