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于子恒; 马春红; 白少先;
浙江工业大学 机械工程学院 杭州 310023;
浙江科技学院 机械与能源工程学院 杭州 310023;
SiC; 圆环槽; 液滴铺展; 边缘效应;
机译:栅极材料,SiO_2的制备方法和栅极边缘效应对3C-SiC MOS电容器中表面陷阱密度分布的影响
机译:表面C / Si比对高速晶圆旋转垂直CVD生长的4H-SiC同质外延膜的晶圆内均匀度和缺陷密度的影响
机译:SiC表面分解法制备的CNT / SiC复合材料的摩擦特性及其在磁盘晶圆杆上的应用
机译:微内铣削过程中刀具边缘效应刀具边缘效应的数值模拟及实验研究
机译:方向性光学天线,晶圆级超颖表面和单分子表面增强拉曼散射。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:环形环槽装载平面微带超空心线圆偏振天线的设计
机译:siC渗透阻力的实验研究(实验211 Undersoekning av penetrationsmotstandet siC)
机译:内燃发动机气缸表面耐磨性的实验研究及内燃发动机气缸表面耐磨性的实验研究。
机译:Sic晶圆,Sic半导体器件和Sic晶圆的制造方法
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
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