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吴凤美; 汪春; 唐杰; 龚邦瑞;
无;
机译:III-V型化合物半导体中的缺陷结构:氢化物传输汽相外延生长的InGaAs和InGaAsP外延层中缺陷结构的产生和演化
机译:金属有机气相外延法在(001)GaAs衬底上生长具有AlGaN / GaN超晶格下层的立方GaN外延层中的缺陷密度降低
机译:低温下分子辐射外延生长的外延GaAs和InGaAs层中缺陷的形成
机译:金属有机气相外延生长在GaAs上的立方GaN外延层中的缺陷态
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究
机译:胚胎层AlGaAs的组合物对由气相外延(100)的气相外延生长的结构(Al)GaAs中抗磷酶结构域的形成
机译:si上Gaas的异质外延:降低外延层中缺陷密度的方法。
机译:金属有机化学气相沉积在硅衬底上生长的GaAs外延层中δ掺杂的方法
机译:通过在硅衬底上生长的GaAs外延层的金属有机化学气相沉积来形成δ掺杂层的方法
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
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