用光电子能谱研究Si／GaP（Ⅲ）异质界面的价带不连续性

摘要

介绍在改装的ＡＤＥＳ－４００型光电子能谱仪上，用Ｓｉ电子束蒸发的方法生长Ｓｉ／ＧａＰ（Ⅲ）界面的过程，并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Ｓｉ／ＧａＰ（Ⅲ）异质界面的形成状况和价带不连续值△Ｅｖ。讨论了△Ｅｖ与界面状况和原子能级变化的相互关系，确定了生长有序的突变Ｓｉ／ＧａＰ（Ⅲ）异质界面的条件，得到此时界面的价带不连续值为０．８０ｅＶ。它与理论计算值基本一致。