强磁场中晶体生长研究

摘要

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长。在强磁场和无磁场下，测量了掺碲ＩｎＳｂ熔体及其上方的温度分布；生长了低ＧａＳｂ组分的ＩｎＧａＳｂ和掺碲ＩｎＳｂ晶体。实验表明，８．００Ｔ的强磁场能改善ＩｎＧａＳｂ混晶的质量和提高ＩｎＳｂ晶体中Ｔｅ杂质轴向分布的均匀性。