强磁场

摘要： 在材料的电磁冶金过程及磁约束核聚变装置中,金属液滴在磁场和壁面温度影响下的撞击过程表现出复杂的动力学特性.本文对水平磁场作用下液态镓(Ga)液滴撞击等温和过冷壁面的铺展和回弹特性进行了实验研究.采用高速相机拍摄液滴撞击过程中轮廓的变化,通过图像处理获得不同磁场强度、不同撞击速度和不同底板温度下的最大铺展因子、回弹过程中的最大高度以及产生的二次液滴的半径和速度.碰撞速度由0.45~1.8 m/s,磁场强度从0~1.6 T,底板温度为30°C,-20°C和-10°C.基于实验结果分析了磁场和壁面温度对液滴铺展和回弹的影响规律.实验结果表明,液滴撞击等温壁面和过冷壁面的最大铺展因子随We的变化均与理论预测关系式一致.液滴撞击等温壁面的情况下,不同的We下,出现不同的回弹现象.磁场抑制了平行于磁场方向的液滴铺展和回弹过程中二次液滴的产生,而对回弹过程中的液滴在平行磁场方向上有拉伸作用.液滴撞击过冷壁面时,在一定的We值范围内,同样会出现二次液滴分离现象,此时产生的二次液滴的速度较小.磁场的增强和We的增大都会导致液滴在高度方向的振荡减弱,加速凝固过程.

摘要： 本文使用定量金相法分析了6 T强磁场对FePt晶体、方向生长行为的影响机制。结果表明:FePt晶体液相生长包括、方向的快速生长和缓慢生长两个阶段。强磁场通过降低原子浓度、抑制原子扩散、抑制表面活性剂吸附等方式降低生长速率和生长距离,细化晶粒。强磁场通过增强磁晶各向异性、影响—NH_(2)官能团在(100)面吸附、促进Fe原子在(100)面吸附生长等方式,减小方向生长速率的降低幅度,使生长过程中FePt晶体形状从截角立方体向立方体和凹立方体转变所需时间增加,使相同生长时间时晶体形状从立方体转变为截角立方体、从凹立方体转变为截角立方体和立方体。

摘要： 两根平行金属导轨置于水平面或斜面上,一端通过导线、电阻或电容器等连接,处于垂直于导轨平面的勾强磁场中,金属棒垂直放在导轨上,且可相对导轨运动,我们称此类问题为棒与导轨问题。常见的棒与导轨模型大致可以分为发电式导轨、电动式导轨、综合发电与电动式导轨、电容放电和充电式导轨等。下面将此类问题进行归纳总结,供同学们参考。

摘要： 在强度为6 T的磁场中,在不同温度下,对真空热压成型的钌进行热处理,测定了样品的硬度和密度,并进行了X射线衍射(XRD)织构分析和扫描电镜(SEM)表征。结果表明,经强磁场热处理后钌的密度无变化,硬度增大;在强磁场和热处理温度的的共同作用下,钌内部原子迁移,从而使其晶粒取向、织构分布发生改变。

摘要： “政以人兴,国以才治。”人才是衡量一个国家综合国力的重要指标,是国家发展、民族振兴的重要支撑。奋进新时代,迈向新征程,我们必须用人才优势托举奋进中国。拓宽招揽渠道,培育引才聚才“强磁场”。坚持高位谋划、高点布局、高位推进、高效落实新时代人才强国战略,聚天下英才而用之。广开引才聚才之路,实施更加丰富的引才方式.

摘要： 贵州紧扣高质量发展的重点领域关键环节,围绕人才“引、育、用、留”全链条,大力实施“四大工程”,放开视野选人才、不拘一格用人才,最大限度地把各方面优秀人才汇聚起来。济济多士,乃成大业。贵州发展的“黄金十年”,离不开人才;进入新发展阶段,围绕“四新”主攻“四化”,以高质量发展统揽全局的贵州,需要更多勇立潮头、奋楫扬帆的优秀人才。“以良好人才生态打造‘引才强磁场’,努力让贵州成为全国最有吸引力、凝聚力的人才高地之一。”2021年4月23日,贵州首个“人才日”,省委书记、省长致信广大人才,释放出求贤若渴的强烈信号。

摘要： 营商环境是企业生存发展的土壤。2021年,杭州等6地成为国家首批营商环境创新试点城市。余杭区牢牢把握契机,推进营商环境集成改革,争创营商环境“最优城区”,全力打造更有活力、更富效率、更加开放的一流营商环境。

摘要： 借助OM、SEM、TEM、XRD等手段,研究了强磁场对Fe-0.1C-2W钢在200°C回火过程中微观组织演变的影响,同时将磁场因素引入修正的Williamson-Hall方法,对钢中位错密度进行理论计算。结果显示,12 T强磁场作用促进了钢中马氏体板条回复,位错密度显著降低,这是因为强磁场促进基体中原子迁移以及削弱柯氏气团对位错的钉扎作用;此外,强磁场作用下钢中Fe 3C碳化物数量显著增加,其热力学本质是磁场影响了Fe 3C的磁自由能,其形核势垒降低,形核率增大,进而促进了Fe 3C的析出。

摘要： 8月12日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研制的国家稳态强磁场实验装置,再攀高峰:混合磁体(磁体口径32毫米)产生了45.22万高斯(即45.22特斯拉)的稳态磁场,刷新同类型磁体世界纪录,成为目前全球范围内可支持科学研究的最高稳态磁场。

摘要： 为提升小功率高压电源的抗干扰能力、稳定性,设计一种新型抗强磁场的电力装置。分析了高压电源主电路原理和设计方案,阐述了研究背景、研究价值、电路结构、控制策略等关键环节,采用了倍压整流技术、光纤通信、电压/频率、软件设计、硬件滤波等电力电子技术,完成了原理样机的设计。通过对原理样机进行测试,验证了高压电力装置设计的合理性与科学性,具有控制精度高、抗干扰能力强、输出稳定的优点,可适用于医院、科学研究、高校等对控制电源要求具有较高的场所。

摘要： 在未来的磁约束氘氚聚变反应堆中,通过在燃烧等离子体外专设包层结构,利用聚变中子与锂元素的嬗变反应实现氚的增殖.其中锂铅(LiPb)合金作为一种有效的氚增殖剂备受关注.LiPb在强磁场中运动,具有磁流体效应,流体的运动形态对增殖剂内的氚的输运具有重要的影响.堆运行条件下,液态LiPb具有如下的物理效用:流体中产生的诱导电流共生的诱导磁场对外加磁场产生扰动;电流与受扰动的磁场之间产生相互作用的洛伦兹力,这一作用对原始的运动产生扰动;与此同时,增殖的氚在流体中输运,受到流场的压力、流速分布的影响.因此,强磁场中液态锂铅氚增殖剂的氚输运是磁场、流体间的强物理场耦合,流场与均匀增殖氚源、体扩散的弱耦合.LiPb中氚输运与流体的压力、流速分布密切相关,同时流体的动力特性与背景磁场、管道材质与特征长度、几何特征、绝缘插件等因素相关.在本文中,通过COMSOL大型物理仿真平台实现磁场、流体、氚输运的多物理场耦合:模拟三维U型方管中的LiPb的氚输运,考虑了磁场、流速、电绝缘插件等影响因素条件下磁流体力学形态的变化以及其对氚输运的影响;分析不同影响因素下流体内氚浓度的分布特性及其敏感影响因素.

摘要： 首次用超强激光((I>1018g W/cm2)来产生外加强磁场;并用质子照相进行诊断。将产生磁场的激光光强外推至相对论强度。由粒子跟踪模拟得到线圈中心磁场最大为45T，得到磁场大小随时间的变化过程。超强短脉冲激光打靶，激光到磁场能量转换率高，本实验粗估为20%。通过质子束中自生电场模型定性解释了线圈中心质子密度凹陷现象;某些质子照相诊断中需对电子进行屏蔽。本研究为国际上近百个超强激光实验室进行强磁场情况下的磁化等离子体研究提供了可能。

摘要： 在聚变堆中,由于大温差和强磁场的影响,液态金属自然对流呈现出了不同于常见流体的流动和换热特征.为了得到液态金属在强磁场下的自然对流流动和换热特性,本文开展了强磁场作用下液态金属GaInSn在方腔内的自然对流的实验研究,实验中采用超声多普勒测速仪对不同温差和不同磁场强度下的自然对流进行速度测量.研究表明液态金属在热端上升,在冷端下降.随着温差的增大,液态金属流动速度随着Gr数的增大而增大,当Gr增大到一定值时,在方腔的中心区域会出现与主流方向相反的逆向速度.当封闭腔内存在逆向流动时,自然对流流动速度会随着磁场的增大先增大后减小.在小磁场的条件下,对流换热强度随着磁场的增大而增大,在强磁场作用下随着磁场强度增大,对流换热强度变小.

摘要： 本文首先研究了Gd55Al25Co20非晶合金的晶化动力学,然后利用强磁场等温退火、差示扫描量热仪、X射线衍射分析、透射电镜等手段研究了强磁场对Gd55Al25Co20非晶合金晶化过程的影响.结果表明,铸态Gd55Al25Co20合金的表观晶化激活能随着晶化体积分数的增加而增加,由Kissinger方程计算的第一晶化峰的表观激活能为227.9kJ/moh强磁场促进了Gd55Al25Co20非晶合金的晶化过程,并且fcc-Gd晶化相析出量随磁场强度的增加而增多.

摘要： 作为一种典型的多铁材料,BiFe03(BFO)具有高于室温的铁电居里温度(Tc～830°C)和反铁磁奈尔温度(TN～370°C),是很有希望在室温下获得应用的铁磁电材料,因此成为多铁材料领域中的研究热点.但是同时获得具有显著磁性和铁电有序的高性能BFO样品是目前亟待解决的难点问题,也是实现磁电耦合效应所面临的关键问题.rn 在制备高质量掺杂BFO样品基础上,对BFO基多铁材料进行了强磁场退火研究,系统探讨了强磁场对样品的组织、形貌及性能的影响.结果表明磁场退火将导致晶粒尺寸减小,而样品的磁性能和铁电性均得到显著提高.特别是BFO薄膜样品,在5T磁场下最高剩余极化强度值(2Pr)高达77μC/cm2,是相同工艺条件下不加磁场制备样品的近6倍大小.最后对磁场条件下的性能提高机制进行了讨论.

摘要： 针对大型电解槽强磁场下的铝母线焊接过程中所存在的诸多问题,本文从焊接所处的电解槽外存在的磁场环境和电弧入手,经过分析并研讨后提出了在强磁场的操作环境下较为可行的解决对策.从基本概念介绍出发,本文步步引入问题,将理论上的问题与已有的实践及市场调研相结合,提出了在强磁场环境下,采用的使用消磁装置对磁场进行屏蔽,再来对铝母线进行焊接的经济可行的办法.

摘要： QCD相结构主要包括：致密星体:1010～15 Gauss，相对论重离子碰撞:1018～19 Gauss，早期宇宙:1024 Gauss。

摘要： 以Cernox-1050温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0～35T和1.2～69.5K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明:(1)CX-1050磁效应基本随场强的增加而增加,随温度的降低而增加,在35T、1.2K处的磁效应最大,为-36.81％.CX-1050在35T、10K处产生的测量误差最大,为0.7K;在35T、1.2K处产生的测量误差最小,为0.21K.CX-1050受磁场的影响较小.

摘要： 以Cernox和铂电阻(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.实验结果表明:Cernox温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2～300K的磁效应值为-0.19～2.38％.Pt-111在16T场强、4.2～77K温区内,磁效应受磁场的影响较大,在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2％和1.07％.Cernox与PT-111温度传感器在16T、4.2K处的磁效应相差21倍.在16T、4.2K处,Cernox与PT-111产生的测量误差分别为-0.056K、18.3K,在16T、77K处,二者产生的测量误差分别为-0.618K、1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.

摘要： 利用凝胶注模成型方法在6T的纵向强磁场中制备出素坯,经磁场外无压烧结获得a轴或b轴取向的氮化硅陶瓷,研究了浆料在磁场中的聚合开始时间对氮化硅陶瓷织构度发展的影响,进而分析了烧结温度对烧结体织构化和各向异性线收缩的影响.研究表明:聚合开始时间从6 min增加到15 min,得到的织构化氮化硅陶瓷的取向因子从0.47增加到0.72,随着时间的继续延长,样品的织构度没有进一步增加.随着烧结温度的增加,氮化硅陶瓷的织构度不断增大,样品的各向异性线收缩现象越来越明显.利用凝胶注模工艺在强磁场中制备织构化陶瓷材料,选择合适的凝胶聚合开始时间对于获得高织构度的陶瓷是十分必要.

摘要： 本发明提供一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置，包括匀强磁场发生装置和磁场屏蔽装置；所述匀强磁场发生装置用于生成匀强磁场；包括双向对称、共轭放置的4块永磁体；所述磁场屏蔽装置设置在所述匀强磁场发生装置外部，用于向外屏蔽所述匀强磁场。本发明的强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置能够实现两组小型化正负电子磁谱仪探头所需的匀强磁场，满足小型化的需求。

摘要： 本发明提供一种强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置，包括匀强磁场发生装置和磁场屏蔽装置；所述匀强磁场发生装置用于生成匀强磁场；包括双向对称、共轭放置的4块永磁体；所述磁场屏蔽装置设置在所述匀强磁场发生装置外部，用于向外屏蔽所述匀强磁场。本发明的强磁场低漏磁正负电子磁谱仪匀强磁场产生装置能够实现两组小型化正负电子磁谱仪探头所需的匀强磁场，满足小型化的需求。

摘要： 本申请涉及一种匀强磁场的产生方法、磁场线圈、装置、设备和存储介质，计算机设备向绕制于圆柱面上的至少一个磁场线圈组注入电流；然后，通过至少一个磁场线圈组，在圆柱面的径向方向上产生匀强磁场；其中，上述磁场线圈组包括沿圆柱面的径向方向对称布置的两个鞍形线圈，上述鞍形线圈由圆形或椭圆形线圈包围在圆柱面上，并在圆柱面的高度方向上伸缩而成。采样上述方法可以提高匀强磁场的均匀度。

摘要： 本申请涉及一种匀强磁场的产生方法、磁场线圈、装置、设备和存储介质。计算机设备向绕制于圆柱面上的至少两个磁场线圈组注入电流；并向设置于圆柱面的高度方向设置的单环线圈注入电流；然后，通过至少两个磁场线圈组以及单环线圈，在圆柱面围成的区域产生匀强磁场；其中，上述至少两个磁场线圈组分别沿圆柱面的第一径向方向和第二径向方向设置，第一径向方向与第二径向方向正交；磁场线圈组包括沿径向方向对称布置的两个鞍形线圈，鞍形线圈由圆形或椭圆形线圈包围在圆柱面上，并在圆柱面的高度方向上伸缩而成。采用上述方法可以大大提升匀强磁场的均匀度。

摘要： 一种基于多级电磁铁的高频强磁场发生装置及磁场控制方法，属于执行器驱动技术领域。本发明为解决现有磁场发生装置产生的磁场不可控且工作空间大小不可调整的问题。装置包括四个磁场发生单元沿圆周方向依次间隔90°排布；每个磁场发生单元包括底座和两个电磁铁模块，两个电磁铁模块在底座上呈镜像对称设置，两个电磁铁模块天顶角的取值范围为45°～60°；八个电磁铁模块两两相对，并且四对电磁铁模块的轴线相交于一点；采用梯形丝杠、螺母、T型轴承座、联轴器和步进电机构成调整机构，可调整磁场内部空间的大小。本发明可以驱动各类型的微执行器。

摘要： 用于SERF原子磁场/惯性测量传感器的球形三维匀强磁场线圈，由三个构型完全相同且彼此相互垂直的球形线圈构成，分别产生x、y、z方向的磁场，能够克服圆柱形线圈中长径比过大的不足，减小磁场线圈的体积，同时可保证三维磁场的均匀性能一致。

摘要： 本发明公开了一种可调磁场的超导强磁场综合治疗仪，属于治疗仪技术领域，包括超导强磁体和外壳以及外壳一端设置的治疗床，治疗床的上表面可移动的安装有可移动床板，超导强磁体的顶部设置有可调电流控制器和无液氦制冷机，超导强磁体靠近治疗床一端的表面上设置有磁体控制开关，外壳的内部设置有液氮或者液氦液体、超导线圈和铁磁芯。本发明，通过改变超导带材电流大小的技术手段，从而改变超导磁体的磁场，电流的强弱直接决定了超导磁体励磁后的磁场大小，通过可调电流控制器改变电流强弱，从而改变磁场的强度，使一台设备可以实现低端、中端、高端的三种功能，操作简单方便、磁场稳定均匀、功能全易维护。

摘要： 本实用新型涉及一种为涂层提供强磁场的组合型电弧源磁场结构，包括支撑架、水冷阴极和磁场机构，磁场机构安装在支撑架上，水冷阴极与支撑架连接，磁场机构包括铁芯、线圈、柱状磁铁、螺杆、齿轮组和步进电机，铁芯上设有线圈骨架，线圈绕至在线圈骨架上，铁芯的一端连接柱状磁铁，其另一端连接螺杆，螺杆穿过支撑架与齿轮组内的一齿轮啮合，步进电机固定在支撑架底部，其输出轴上安装有与所述齿轮啮合的输出齿轮。本实用新型可为涂层阴极提供更强的磁场，得到更高的离化率，更细的颗粒，涂层的性能进一步提高；磁场机构可随着靶材消耗调节，以确保靶材消耗寿命周期内，靶材表面磁场强度保持一致，保证涂层性能更高的一致性。

摘要： 本实用新型公开了一种可同时测量单维强磁场和单维弱磁场的复合传感器，该复合传感器包括一个单维弱磁场传感器AK8961、一片单维强磁场HALL传感器HE244，一块长条形PCB板和一个供电单元。单维弱磁场传感器AK8961和单维强磁场HALL传感器HE244，紧紧靠在一起，焊接在一块长条形PCB板上的一端，供电单元焊接在长条形PCB板上的另一端，构成并联结构的复合传感器。本实用新型提供的复合传感器，是将两种技术的单维传感器和供电单元集成在一块长条形PCB板上，实现了能够同时检测单维强磁场和单维弱磁场的复合传感器，量程从0.1毫高斯到3万高斯，量程跨度大于10的8次方，更便于使用。

摘要： 本实用新型公开了一种可同时测量三维强磁场和三维弱磁场的复合传感器，该复合传感器包括一个三维弱磁场传感器AK09915C、一片三维强磁场HALL传感器M3DX，一块长条形PCB板和一个供电单元。三维弱磁场传感器AK09915C和三维强磁场HALL传感器M3DX，紧紧靠在一起，焊接在一块长条形PCB板上的一端，供电单元焊接在长条形PCB板上的另一端，构成并联结构的复合传感器。本实用新型提供的复合传感器，是将两种技术的三维传感器和2个传感器的供电单元集成在一块长条形PCB板上，实现了能够同时检测三维强磁场和三维弱磁场的复合传感器，量程从0.1毫高斯到10万高斯，量程跨度高达10的9次方，更便于使用。