VO2热致变色薄膜的结构和光电特性研究

摘要

用磁控溅射方法制备了ＶＯ２热致变色薄膜，用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光原子力显微镜对薄膜的宏观及微观结构进行了分析，表明ＶＯ２薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好、薄膜的光透地祺在２０００ｎｍ处相变前后改变了４２％，高／低温电阻率变化达到三个数量组以上，薄膜的光透过谱和相变过程电中电学性质变化的研究与结构分析结果相一致。