控制成核生长大尺寸C60，C70单晶

摘要

通过改进双温区双温度梯度方法，成功地控制成核密度，分别生长出线度可达６ｍｍ和５ｍｍ的大尺寸Ｃ６０，Ｃ０７单晶，并对其表面形貌和晶体结构进行了研究。