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肖细凤; 康俊勇;
厦门大学物理系,厦门,361005;
Laplace缺陷谱,俘获势垒; DX中心; AlGaAs∶Sn;
机译:在Sn-掺杂的Algaas中的两个DX样中心的电子发射过程中的精细结构
机译:选择性掺杂异质结构AlgaAs / GaAs掺杂层中DX中心和其他缺陷络合物对AlGaAs层和二维通道中电子浓度的影响
机译:在GaAs量子阱中引入了用于极性光子的薄InAs势垒的结果,两势垒AlGaAs / GaAs / AlGaAs异质结构中的电子迁移率增加
机译:AlGaAs外延层中Sn相关的DX中心的捕获壁垒
机译:次中心趋势表面分析:选定的中间深度贝尼奥夫区的区域和精细结构。
机译:溶液合成的SnS纳米带的接触:势垒高度对金属功函数的依赖
机译:AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构
机译:减少压力诱导的深供体(DX中心)在Gaas:si中的捕获势垒高度
机译:步枪中脚蹬偏度的测量仪器-dx-sn-
机译:在包含氮的活性区域和AlGaAs限制层之间使用GaAs扩展势垒层
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