AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心

肖细凤; 康俊勇

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AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心

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在测得Al0.26Ga0.74As∶Sn混晶中两类类DX中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能.采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Sn施主杂质次近邻Al/Ga原子的不同局域组分所引起的Sn杂质及其最近邻As原子的不同晶格驰豫,是产生两类类DX中心能级精细结构的主要原因.

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来源
《红外与毫米波学报》|2002年第z1期|83-86|共4页
作者
肖细凤; 康俊勇;
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作者单位

厦门大学物理系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理系,福建,厦门,361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
AlGaAs∶Sn; 第一原理赝势法; 类DX中心;
入库时间 2023-07-25 20:02:32

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