热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性

摘要

以金属W和Ta为热丝,采用热丝化学气相沉积 ,在250℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响,在优化条件下获得晶态比Xc＞90%,暗电导率σd=10-7-10-6Ω-1cm-1,激活能Ea=0.5eV,光能隙Eopt≤1.3eV的多晶硅薄膜.