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热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜

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摘要

采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上,于较低的衬底温度(400 ℃)下,制备出良好结晶.经对样品进行的X射线衍射(XRD),以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)检测,证实该沉积薄膜为立方碳化硅.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所获样品晶粒大小为纳米尺度.

著录项

来源
《南昌大学学报（理科版）》|2005年第2期|173-175|共3页
作者
戴文进; 欧阳慧平;
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作者单位

南昌大学,信息工程学院,江西,南昌,330029;

江西工业工程职业技术学院,江西,萍乡,337055;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
立方碳化硅; 纳米; 热丝法CVD;
入库时间 2023-07-25 21:45:25

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