衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

摘要

通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线.选用衬底为Si片、带有约100nm厚SiO2氧化层Si片和石英片.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM,配备有能谱仪)对样品的表面形貌、结构和成分进行研究.结果表明:这些纳米线都为非晶态,但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同.讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响.