Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

摘要

采用XeCl脉冲准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在1-500Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜.x射线衍射谱测量证实,纳米Si晶粒已经形成.利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌,结果表明,随着环境气压的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大,气压为100Pa时达到最大值20 nm,而后开始减小.从晶粒形成动力学角度,对实验结果进行了定性分析.