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环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

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采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.

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来源
《第七届中国国际纳米科技（武汉）研讨会》|2008年|247-250|共4页
会议地点武汉
作者
王英龙; 张恒生; 褚立志; 丁学成; 傅广生;
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作者单位

中国微纳米技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;硅Si;
关键词
脉冲激光烧蚀; 纳米Si晶粒薄膜; 晶粒尺寸; 环境气体;

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