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周旭昌; 陈效双; 甄红楼; 陆卫;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;
p型量子阱红外探测器; 响应光谱; 空穴浓度; 温度;
机译:氮对p型调制掺杂GalnNAs / GaAs量子阱结构中空穴有效质量和空穴迁移率的影响
机译:自旋剥离带对P型GA1-XINXASYP1-Y量子阱红外探测器光学吸收的影响
机译:低空穴密度下p型GaAs /(Al,Ga)As量子阱的带间光谱
机译:GaAs / Alo_(0.3)Gao_(0.7)As量子阱中α粒子辐照对光致发光和拉曼光谱的影响以及轻空穴和重空穴的耦合系数
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:p型调制掺杂GaInNAs / GaAs量子阱中非平衡空穴的非线性动力学
机译:掺杂衬底对空穴增强对GaAs / AlGaAs界面功函数红外探测器响应的影响
机译:拉曼光谱法测定p型Gasb中的空穴浓度
机译:量子阱混合技术改变量子阱红外探测器的波长响应的方法
机译:缺陷多量子阱结构,用于通过沿缺陷多量子阱结构进行电场空间分布的光学控制而实现的光的反射和透射
机译:超结半导体组件具有n型区域,n型区域中的电子迁移率和p型区域中的空穴的迁移率等于或低于第一本征半导体区域中的电子或空穴迁移率的一半
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