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吴振宇; 杨银堂; 汪家友;
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
a-C:F; ECR-CVD; 键结构; 电学性质;
机译:微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法合成掺硼非晶氮化碳薄膜的结构和光学性质
机译:电子回旋共振三氟甲烷和苯等离子体制备的氟化非晶碳薄膜的光学间隙
机译:将氟掺入通过等离子体化学气相沉积法沉积的非晶氢化碳膜中:通过X射线光电子能谱和拉曼光谱研究的结构修饰
机译:原位等离子体分析,通过等离子体增强化学气相沉积法沉积在Si上的氟化非晶碳和氢化非晶碳薄膜的氟掺入,热稳定性,应力和硬度比较
机译:微波等离子体电子回旋共振化学气相沉积法沉积的纳米晶和非晶硅薄膜晶体管:材料分析,器件制造和表征。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:偏压对电子回旋共振等离子体在CoCrMo合金上制备的氢化非晶碳膜性能的影响增强了化学气相沉积(ECR-PECVD)
机译:电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积法研究氮等离子体不稳定性及氮化硅的生长
机译:电子回旋共振法对带隙宽的非晶膜进行薄膜沉积
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