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半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性

         

摘要

利用聚焦离子束刻蚀方法和电子束制版结合干法刻蚀方法制备了二维近红外波段光子晶体,发现两种方法都可以制备出均匀的二维光子晶体,聚焦离子束方法操作简单,电子束制版结合干法刻蚀方法操作步骤复杂.光谱测试表明,利用聚焦离子束方法在有源材料上刻蚀的光子晶体不发光,而电子束制版结合干法刻蚀方法制备的小晶格常数光子晶体即使有些无序,其出光效率也提高到没有光子晶体时的两倍.对两种方法所加工的光子晶体不发光和提高出光效率的机理进行了分析.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2006年第3期|1248-1252|共5页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院物理研究所,北京,100080;

    中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院物理研究所,北京,100080;

    中国科学院物理研究所,北京,100080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 唯象理论;
  • 关键词

    聚焦离子束; 电子束制版; 光子晶体; 出光效率;

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