Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成光子晶体能态密度特性

摘要

应用平面波展开法,取Ⅳ-Ⅵ族的PbS、PbSe和PbTe半导体材料构成二维三角晶格光子晶体。数值模拟其构成光子晶体能态密度特性。结果表明,随着介电常数的增大,形成的光子带隙宽度增加。结论为光子晶体器件的开发提供参考。