GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟

摘要

以CaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜,通过保持Ar Ⅰ 750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数,并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小,Ga的溅射率及输运效率均大于P的,使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ca的含量大于P的,GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时,Ca和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大,Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的,使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ca与P的含量接近化学计量比,CaP薄膜的吸收降低,因此有利于制备厚度较大的CaP薄膜.