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聂海; 张波; 唐先忠;
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;
成都信息工程学院,成都,610225;
电致发光; 掺杂; 陷阱效应;
机译:瞬态电致发光确定重掺杂磷光有机发光二极管中的载流子迁移率和电荷陷阱效应
机译:掺杂荧光染料对电致发光过程的电荷俘获效应及其在聚合物发光二极管中的性能
机译:主体-掺杂剂混合系统中的黄绿色电致发光,作为双层聚合物发光二极管中的活性层:聚(n-乙烯基咔唑)作为主体和新型可溶噻吩基共聚物[poly(2,2'-BT) -co-(3-DDT)]作为掺杂剂
机译:聚合物/小分子异质结构掺杂发光二极管的电致发光
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:通过简单混合路易斯酸p-掺杂剂B(C6F5)3几种有机小分子聚合物和小分子:聚合物共混晶体管的空穴迁移率显着提高。
机译:使用磁电致发光作为指纹,以识别磁性纳米颗粒掺杂聚合物发光二极管的自旋极化和旋转轨道耦合
机译:硅掺杂的砷化镓锑化物电致发光二极管发射至1.06微米。
机译:包含新型蓝色掺杂剂的有机电致发光聚合物和使用该有机电致发光聚合物制造的有机电致发光器件
机译:半导体元件金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,涉及在杂质注入区实施退火工艺以形成杂质掺杂区
机译:场效应管N沟道MOSFET器件,曾经是电子设备的可编程存储单元,其源极的掺杂比漏极高,其中从沟道到漏极的掺杂杂质浓度梯度很高
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